以Cu₂Se和Bi₂Te₃为基底的纳米拓扑绝缘体电磁吸收的研究

【摘要】 采用球磨法在Ar气环境保护下制备以Cu₂Se和Bi₂Te₃为基底的纳米拓扑绝缘体材料。研究上述两种材料的球磨时间等工艺因素对其纳米拓扑绝缘体的相结构和晶粒尺寸的影响;以研究两种材料的晶粒尺寸对介电常数、磁导率、介电共振及电磁损耗的影响。实验结果表明:Bi₂Te₃纳米材料经1h球磨,其衍射峰强度明显强于经5h球磨的,且布拉格衍射峰宽度更窄,表明其晶粒尺寸大,微观应力作用偏小;而在磁性方面以Cu₂Se为基底材料的饱和磁化强度较大,矫顽力较小;相比于Cu₂Se材料,Bi₂Te₃有较好的电磁吸波性能,且材料的吸波性能随球磨时间的增加有显著的提高。更多还原