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超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术

Control Technique for Mechanical Strength of Ultrathin Polished Ge Wafer

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【作者】 赵权杨洪星刘春香吕菲张伟才王云彪

【Author】 Zhao Quan,Yang Hongxing,Liu Chunxiang,Lü Fei,Zhang Weicai,Wang Yunbiao(The 46th Research Institute,CETC,Tianjin 300220,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第四十六研究所

【摘要】 Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注。介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法。研究了加工工艺对超薄Ge单晶抛光片机械强度的影响,同时指出在太阳电池用超薄Ge单晶抛光片的加工过程中,切割、研磨、磨削、化学腐蚀、抛光等工序对超薄Ge单晶抛光片的机械强度均有着不同程度的影响。研究表明,通过调整磨削砂轮砂粒粒径、化学腐蚀去除厚度和抛光速率等工艺参数,能够有效控制超薄Ge单晶抛光片的机械强度。

【Abstract】 Compound solar cell using polished monocrystal Ge wafers as substrate is widely used in aerospace filed,and the mechanical strength of ultrathin polished Ge wafer was received increasing attention.A method is introduced to test the mechanical strength,and the effects of sawing,lapping,grinding,etching and polishing on mechanical strength are investigated.The results show that adjusting grit diameter of grinding wheel,etching thickness and polishing rate are proved to be effective ways to improve the mechanical strength of ultrathin polished Ge wafer.

  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2010年08期
  • 【分类号】TN305.2
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】70
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