节点文献

宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【摘要】 <正>一、引言第一代半导体材料一般是指硅(Si)元素和锗(Ge)元素,其奠定了20世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、砷化铝(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20世纪信息光电产业的基础。第三代宽禁带半导体材料一般是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、金刚石等材料,其具有禁带宽度大、抗辐射能更多还原

【关键词】 GaN； SiC；金化合物；半导体材料；砷化铝；砷化铟；光电产业；禁带；磷化镓；氮化镓；

【文献出处】军民两用技术与产品 ,Dual Use Technologies & Products , 编辑部邮箱 ,2020年03期

【分类号】TN304
【被引频次】6
【下载频次】1575

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献